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介電常數介質損耗測試儀的參數設置、試驗原理、操作軟件、實驗意義?

更新時間:2026-01-13      點擊次數:119

一、 測試儀的參數設置

1.頻率設置:通過頻段選擇開關"振蕩頻率度盤"設定測試頻率。頻率需根據被測材料的預期電感或電容范圍,參照儀器提供的電感、倍率、頻率"對照表進行選擇。

2.Q值量程選擇:根據預估的被測元件Q值大小,通過“Q值范圍開關"選擇合適的檔位(如10-100、20-30050-600),以確保讀數準確。

3.定位調節:測試前需進行定位零位校正",并通過定位粗調"定位細調"旋鈕,將定位指示表"指針調整到“Q×1"的基準線上,以固定輸入到測試回路的高頻信號電壓(通常為10mV)。

4.電容調諧:使用主調電容度盤"微調電容度盤"來調節諧振回路的電容,使其達到諧振狀態(Q值表指示zui大)。

5.零點校正:測試前需在遠離諧振點時,分別調節定位零位校正"“Q值零位校正"旋鈕,使相應的指示表指針歸零。

二、 試驗原理(核心:諧振法/Q表法)

1.基本思想:基于LC串聯諧振回路的特性。將被測材料(作為電容介質)與一個標準電感組成諧振回路。

2.測量過程:

    首先,在不接樣品(或接已知標準件)的情況下,調節頻率或電容使回路諧振,記錄此時的諧振電容值 \(C1\) 和品質因數 \(Q1\)。

    然后,接入被測樣品,重新調節電容使回路再次諧振,記錄新的電容值 \(C2\) 和品質因數 \(Q2\)

3.計算公式:

    相對介電常數 (ε):通過樣品引入后電容的變化量、樣品的幾何尺寸(厚度`d`、直徑`Φ`)計算得出。公式為:`ε = (C2  d) / (ε0  A)` 的近似推導形式(見文檔公式(1)),其中A為電極面積。

    介質損耗角正切 (tgδ):通過樣品引入前后回路Q值的變化計算得出。公式為:`tgδ = (1/Q2 - 1/Q1)  (C1 / (C1 - C2))`(見文檔公式(2))。

4.物理聯系:介電常數反映材料極化儲存電能的能力;介質損耗角正切反映材料在交變電場中消耗電能(轉變為熱)的比率。Q值是損耗角正切的倒數,Q值越高表示損耗越小。

三、 操作軟件

文檔中描述的ZJD-C型高頻Q表為傳統臺式儀器,其操作主要依賴于面板上的旋鈕、開關和表頭進行手動調節與讀數,并未提及配套的計算機控制或數據分析軟件。整個測試流程,包括頻率設置、諧振點尋找、數據讀取和記錄,均需實驗人員手動完成。后續的數據計算(εtgδ)通常需要人工根據公式進行或使用計算工具處理。

四、 實驗意義

1.理解材料本質:通過測量εtgδ,可以深入研究電介質的極化機制、分子結構、分子運動及其與溫度、頻率的關系。

2.評價材料性能:這兩個參數是評價電介質材料電氣性能的核心指標。

    介電常數(ε):高ε材料適用于制造小型大容量的電容器;低ε材料適用于高頻和高壓絕緣。

    介質損耗(tgδ):低tgδ意味著能量損耗小、發熱少,材料絕緣效率高、壽命長,適用于高頻高壓設備;高tgδ材料可用于特定場合的介電加熱。

3.指導工程應用:為電子元器件(電容器、絕緣子)、通信設備、航空航天材料等領域的選擇、設計和可靠性評估提供關鍵數據。例如,防止因介質損耗過大導致的熱擊穿。

4.質量控制與研發:作為材料生產和研發過程中質量控制、配方優化及新材料性能評估的重要手段。

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